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全球半導體支出首次逾千億美元 估增14%
2018.5.22
文章来源:http://www.cna.com.tw/news/afe/201805220295-1.aspx

(中央社記者張建中新竹22日電)全球半導體資本支出今年可望首度突破1000億美元大關,預估達1026億美元,將較去年增加14%。

研調機構IC Insights原先預估,三星(Samsung)今年資本支出約200億美元,將較去年減少42億美元,並影響今年全球半導體資本支出成長趨緩,估增加約8%。

不過,三星第1季實際資本支出達67.2億美元雷火电竞亚洲先驱-雷火app官网下载-雷火APP,微幅高於過去3季的平均水準,IC Insights認為雷火电竞亚洲先驱-雷火app官网下载-雷火APP,三星今年資本支出有可能會高於預期。

因動態隨機存取記憶體(DRAM)與儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市況依然強勁,SK海力士(Hynix)今年資本支出將自去年的81億美元,攀高至115億美元雷火电竞亚洲先驱-雷火app官网下载-雷火APP,年增率預估達42%雷火电竞亚洲先驱-雷火app官网下载-雷火APP雷火电竞亚洲先驱-雷火app官网下载-雷火APP。

IC Insights預期雷火电竞亚洲先驱-雷火app官网下载-雷火APP,今年全球半導體資本支出將首度突破1000億美元大關,預估達到1026億美元規模,較去年增加14%,增幅高於原本預估的8%雷火电竞亚洲先驱-雷火app官网下载-雷火APP。(編輯:張良知)1070522


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